Күчтүү жарым өткөргүч драйверинин чынжырчасы интегралдык микросхемалардын маанилүү субкатегориясы, күчтүү, IGBT драйверинин IC үчүн диск деңгээлин жана токту камсыз кылуудан тышкары, көбүнчө дискти коргоо функциялары менен, анын ичинде десатурациядан кыска туташуудан коргоо, төмөн чыңалуудан өчүрүү, Миллер кысмасы, эки баскычтуу өчүрүү , жумшак өчүрүү, SRC (slew чен башкаруу) ж.б. продуктылар, ошондой эле жылуулоо аткаруунун ар кандай даражасына ээ.Бирок, интегралдык микросхема катары, анын пакети максималдуу электр керектөөсүн аныктайт, айдоочу IC чыгуучу ток кээ бир учурларда 10А ашык болушу мүмкүн, бирок дагы эле жогорку учурдагы IGBT модулдарынын айдоо муктаждыктарын канааттандыра албайт, бул документте IGBT айдоо талкууланат учурдагы жана учурдагы кеңейүү.
Драйвердин агымын кантип кеңейтүү керек
Айдоочу токту көбөйтүү керек болгондо же жогорку ток жана чоң дарбаза сыйымдуулугу бар IGBTтерди айдап жатканда, драйвер IC үчүн токту кеңейтүү керек.
Биполярдык транзисторлорду колдонуу
IGBT дарбазасынын драйверинин эң типтүү дизайны кошумча эмитенттин жолдоочусун колдонуу менен учурдагы кеңейүүнү ишке ашыруу болуп саналат.Эмитенттик ээрчиген транзистордун чыгыш агымы hFE же β транзисторунун туруктуу токтун күчөшү жана IB базалык агымы менен аныкталат, IGBTти айдоо үчүн зарыл болгон ток IB*βдан чоңураак болгондо, транзистор сызыктуу жумушчу аймакка кирет жана чыгыш диск агымы жетишсиз болсо, анда IGBT конденсаторунун заряддоо жана разряддоо ылдамдыгы жайыраак болуп, IGBT жоготуулары көбөйөт.
MOSFETтерди колдонуу
MOSFETтерди драйвердин учурдагы кеңейиши үчүн да колдонсо болот, схема жалпысынан PMOS + NMOSдан турат, бирок схеманын структурасынын логикалык деңгээли транзистордук түртүүнүн карама-каршы.Жогорку түтүк PMOS булагынын дизайны оң электр булагы менен туташтырылган, дарбаза берилген чыңалуу PMOS булагынан төмөн жана драйвер IC чыгышы жалпысынан жогорку деңгээлде күйгүзүлгөн, ошондуктан PMOS + NMOS түзүмүн колдонуу долбоорлоодо инвертор талап кылынышы мүмкүн.
Биполярдык транзисторлор же MOSFETтер мененби?
(1) Эффективдүү айырмачылыктар, адатта, жогорку кубаттуулуктагы тиркемелерде, которуу жыштыгы өтө жогору эмес, андыктан транзистор артыкчылыкка ээ болгондо өткөргүчтүк жоготуу негизги болуп саналат.Жылуулуктун таралышы кыйын болгон жана жабык корпустун ичинде температуралар жогору болгон электр унаасынын кыймылдаткычтары сыяктуу учурдагы жогорку кубаттуулуктагы тыгыздыктагы көптөгөн конструкциялар, эффективдүүлүк абдан маанилүү жана транзистордук схемаларды тандап алса болот.
(2) Биполярдык транзистордук эритменин чыгышында VCE(sat) менен шартталган чыңалуу төмөндөшү бар, 15V дисктин чыңалуусуна жетүү үчүн VCE(сат) диск түтүгүнүн ордун толтуруу үчүн камсыздоо чыңалуусун жогорулатуу керек, ал эми MOSFET чечими темир жол-дон рельс чыгарууга дээрлик жетише алат.
(3) MOSFET чыңалууга туруштук берет, VGS болжол менен 20 В, бул оң жана терс кубат булактарын колдонууда көңүл бурууну талап кылган көйгөй болушу мүмкүн.
(4) MOSFETтер Rds(on) терс температура коэффициентине ээ, ал эми биполярдык транзисторлор оң температура коэффициентине ээ, ал эми MOSFETтер параллелдүү туташтырылганда жылуулук качуу көйгөйүнө ээ.
(5) Эгерде Si/SiC MOSFETтерди айдап жүрсө, биполярдык транзисторлордун которуштуруу ылдамдыгы, адатта, кыймылдаткыч объектисинин MOSFETтерине караганда жайыраак болот, аларды токтун күчүн узартуу үчүн MOSFETтерди колдонууну эске алуу керек.
(6) Киргизүү стадиясынын ESDге жана асқын чыңалууга бекемдиги, биполярдык транзистордун PN түйүнү MOS дарбазасынын оксидине салыштырмалуу олуттуу артыкчылыкка ээ.
Биполярдык транзисторлор жана MOSFET мүнөздөмөлөрү бирдей эмес, эмнени колдонуу керек же системанын дизайн талаптарына ылайык өзүңүз чечишиңиз керек.
NeoDen жөнүндө тез маалыматтар
① 2010-жылы түзүлгөн, 200+ кызматкер, 8000+ кв.м.фабрика.
② NeoDen өнүмдөрү: Smart сериядагы PNP машинасы, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, IN6, IN12, Solder пастасы, принтер FP2604.
③ Дүйнө жүзү боюнча ийгиликтүү 10000+ кардарлар.
④ Азия, Европа, Америка, Океания жана Африкада камтылган 30+ глобалдык агенттер.
⑤ R&D борбору: 25+ кесипкөй R&D инженерлери менен 3 R&D бөлүмдөрү.
⑥ CE менен тизмеленген жана 50+ патент алган.
⑦ 30+ сапатты көзөмөлдөө жана техникалык колдоо инженерлери, 15+ улук эл аралык сатуулар, 8 сааттын ичинде өз убагында кардарларга жооп берүү, 24 сааттын ичинде профессионалдык чечимдер.
Посттун убактысы: 17-май-2022